контакт между двумя разными по химическому составуполупроводниками. Гетеропереходы могут быть анизотипными (p -n-гетеропереходы) или изотипными (p - p-гетеропереходы, n -n-гетеропереходы). Транзисторы, тиристоры, полупроводниковые лазеры нагетеропереходах обладают высокими характеристиками.
